晶振片测量膜厚的原理
晶振片测量膜厚的原理主要基于晶体的压电效应和质量效应。当在晶振片上施加电压时，晶体会产生机械振动，其振动频率与晶体的物理参数有关。当晶振片表面沉积或去除薄膜材料时，会导致晶体的质量发生变化，进而影响其振动频率。通过测量晶振片振动频率的变化，可以计算出薄膜的质量变化，从而推算出薄膜的厚度。这种方法具有高精度、高灵敏度和实时监测的特点，广泛应用于半导体、光学薄膜等领域的薄膜厚度测量。同时，晶振片测量膜厚还具有非破坏性、无需标准样品等优点，使得它在工业生产和科研领域得到了广泛的应用。
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