原子层沉积技术
原子层沉积技术（Atomic Layer Deposition, ALD）是一种将物质以单原子膜形式一层一层镀在基底表面的方法。它通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器，并在沉积基体表面发生气固相化学吸附反应，从而形成沉积薄膜。基本原理
ALD技术的基本原理包括四个步骤：
脉冲第一种前驱体暴露于基片表面，并进行化学吸附。
使用惰性载气吹走未反应的前驱体。
脉冲第二种前驱体进行化学反应，形成所需的薄膜材料。
再次使用惰性载气吹走剩余的前驱体与反应副产物。
发展历史和应用领域
ALD技术起源于20世纪60年代，最初由前苏联科学家研究，并在70年代由芬兰科学家Tuomo Suntola独立开发出多循环涂层技术并申请专l。ALD技术在90年代随着半导体工业的发展而得到广泛应用。进入21世纪，随着商品化ALD仪器的研制成功，该技术在基础研究和实际应用中受到了越来越多的关注。
不同类型和应用实例
ALD技术有多种变体，包括热沉积（TALD）、等离子增强沉积（PEALD）、闪光增强沉积（FEALD）和光辅助沉积（PAALD），其中TALD和PEALD最为常见4。在实际应用中，ALD技术已被广泛应用于传感器、储能、催化、存储设备等多个领域4。如使用三甲基铝（TMA）和水或氧等离子体进行氧化铝（Al2O3）的沉积，通过自限性表面反应形成高质量的薄膜材料。
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