TA的每日心情 | 开心 2025-1-2 16:00 |
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发表于 2024-7-29 17:49:57
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磁阻传感器(MagnetoResistive, MR)的原理基于磁阻效应,这是一种物理现象,即某些材料在磁场中的电阻会发生变化。磁阻传感器中常见的是各向异性磁阻(Anisotropic MagnetoResistive, AMR)传感器和巨磁阻(Giant MagnetoResistive, GMR)传感器。以下是磁阻传感器的基本工作原理:
各向异性磁阻(AMR)传感器原理:
1. 材料的磁各向异性:AMR传感器使用具有磁各向异性的材料,这意味着材料的电阻依赖于电流方向与材料磁化方向的相对角度。
2. 外部磁场的影响:当外部磁场作用于这种材料时,材料的磁化方向会改变。
3. 电阻的变化:磁化方向的改变会导致电流通过材料时的电阻发生变化。
4. 电信号输出:通过测量电阻的变化,可以感应出外部磁场的强度和方向。
巨磁阻(GMR)传感器原理:
1. 多层结构:GMR传感器通常由多层薄膜构成,这些薄膜交替为铁磁性和非铁磁性材料。
2. 自旋相关散射:在无外部磁场时,相邻的铁磁层磁化方向相反,导致电子的散射增加,电阻较高。
3. 外部磁场的作用:当外部磁场使得铁磁层的磁化方向一致时,电子的散射减少,电阻降低。
4. 电阻变化检测:通过检测电阻的显著变化,可以非常灵敏地检测到外部磁场的变化。 |
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